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NXP Semiconductors
PESD5V0L6UAS; PESD5V0L6US
Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays
10 2
001aaa192
1.2
001aaa193
P PP
P pp
P PP(25 ° C)
(W)
0.8
10
0.4
1
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
Fig 3.
Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration t p ; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
18
001aaa194
10
001aaa195
C d
(pF)
16
I RM
I RM(25?C)
14
1
12
10
8
0
1
2
3
4
V R (V)
5
10 ? 1
? 100
? 50
0
50
100
T j ( ° C)
150
T amb = 25 ° C; f = 1 MHz
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 6.
Relative variation of reverse leakage current
as a function of junction temperature; typical
values
PESD5V0L6UAS_US_3
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 18 August 2009
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